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PSMN2R0-30YL,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R0-30YL,115
- 商品编号
- C456160
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.98nF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品经设计和认证，适用于工业和通信应用。
商品特性
- 低开关和传导损耗，效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- D类放大器
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 服务器电源