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PMPB33XN,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.3A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB33XN,115
- 商品编号
- C458172
- 商品封装
- SOT1220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V,4.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 开关速度极快
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘，导热性能出色
- 镀锡侧焊盘，可100%焊接，便于光学焊接检测
应用领域
- 便携式设备充电开关
- DC - DC转换器
- 电池供电便携式设备的电源管理
- 硬盘和计算机电源管理
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