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BSP225,115
1个P沟道 耐压:250V 电流:225mA
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- 描述
- P-通道增强模式垂直 D-MOS 晶体管，采用微型 SOT223 封装，适用于继电器、高速和线路变压器驱动器。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSP225,115
- 商品编号
- C456120
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 225mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 输入电容(Ciss) | 90pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
采用微型SOT223封装的P沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体（D-MOS）晶体管，适用于继电器、高速和线路变压器驱动器。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 可直接与C-MOS、TTL等接口
- 高速开关
- 无二次击穿
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