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PSMN025-100D,118实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN025-100D,118

1个N沟道 耐压:100V 电流:47A

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN025-100D,118
商品编号
C456156
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.372克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)47A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V

商品概述

采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品仅适用于计算、通信、消费和工业应用。

商品特性

  • 低热阻,工作功率更高
  • 低导通电阻,传导损耗低
  • 开关特性快,适用于高频应用

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 开关模式电源

数据手册PDF