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BSS192,115
1个P沟道 耐压:240V 电流:200mA
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- 描述
- 采用SOT89（SC - 62）中功率扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型垂直双扩散场效应晶体管（DMOSFET）。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSS192,115
- 商品编号
- C456092
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 560mW；12.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 输入电容(Ciss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用SOT89（SC - 62）中功率扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型垂直双扩散场效应晶体管（DMOSFET）。
商品特性
- 可与互补金属氧化物半导体(C - MOS)晶体管和晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)器件直接接口
- 开关速度极快
- 无二次击穿
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路