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BSP122,115
1个N沟道 耐压:200V 电流:550mA
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- 描述
- 采用SOT223封装的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体（D-MOS）晶体管，适用于作为电话机的线路电流中断器，以及用于继电器、高速和线路变压器驱动器等应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSP122,115
- 商品编号
- C456102
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,750mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用SOT223封装的N沟道增强型垂直双扩散MOS晶体管，适用于电话机中的线路电流中断器，以及继电器、高速和线路变压器驱动器应用。
商品特性
~~- 可与C-MOS、TTL等直接接口-高速开关-无二次击穿
应用领域
- 电话机-继电器-高速和线路变压器驱动器
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