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XRS150P10T

P沟道100V快速开关MOSFET

描述
特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池开关应用。 硬开关和高频电路
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS150P10T
商品编号
C42457140
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V,22A
耗散功率(Pd)305W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)170nC@50V
输入电容(Ciss)11.687nF@50V
反向传输电容(Crss)139pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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