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XR65R180FT
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- 使用超级结技术设计，以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。此超级结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，具备全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR65R180FT
- 商品编号
- C42457153
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.459nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
XR65R180FT采用超级结技术进行设计,在具备低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。 XR65R180FT符合RoHS和绿色产品要求,100%保证耐雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证耐雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的沟槽栅超级结技术