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XR65R110T
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- 使用超级结技术设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。这款超级结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求，符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR65R110T
- 商品编号
- C42457154
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
XR65R110T采用超结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换及工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。 XR65R110T符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-超结技术-更低的导通电阻与芯片面积乘积(Ron*A),提升导通状态效率-极低的品质因数(FOM),效率更高-符合JEDEC标准,适用于工业级应用