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XR4020F
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
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- 描述
- 高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS标准。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR4020F
- 商品编号
- C42457171
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
XR4030F是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR4030F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证通过EAS测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证通过EAS测试
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术