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XR30G20D
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
- 描述
- 高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR30G20D
- 商品编号
- C42457189
- 商品封装
- PDFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.8W；10.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V；1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@20V；5nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF；416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF；51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR30G20D是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET,具有高单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。XR30G20D符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有经批准的全功能可靠性。
商品特性
- 100%保证具有雪崩耐量(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理
- DC-DC转换器
- 负载开关