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XR4606B
N沟道和P沟道，20V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高性能的沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR4606B
- 商品编号
- C42457200
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V；21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@10V；5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 358pF；503pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF；58.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69.3pF；67pF |
商品概述
XR4606B是高性能沟槽N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。XR4606B符合RoHS和绿色产品要求,100%经过易感性评估(EAS)保证,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
-半桥和逆变器中的电源管理-DC-DC转换器-负载开关