商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A；3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V；80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.08W；2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@10V；2.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF；248pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF；31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4606C是高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 4606C符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理
- DC-DC转换器
- 负载开关