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XR20G02D
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
- 描述
- XR20G02D 是一款高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR20G02D
- 商品编号
- C42457202
- 商品封装
- PDFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 191pF |
商品概述
XR20G02D 是高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,具有高单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理-DC-DC转换器-负载开关