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XRS320N08TL
N沟道80V快速开关MOSFET
- 描述
- 特性：Split Gate Trench MOSFET technology。 优秀的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS320N08TL
- 商品编号
- C42456681
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 347.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.56nF |
商品概述
XR8G02M是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR8G02M符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用