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XR6G02L
P+N沟道20V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高性能沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量EAS，具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR6G02L
- 商品编号
- C42457199
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A；4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W；1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@15V；8.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF；310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF；35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR6G02L 是高性能的沟槽型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。XR6G02L 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的 Cdv/dt 效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
-半桥和逆变器中的电源管理-DC-DC 转换器-负载开关