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XR4G03L
N+P沟道，30V快速开关MOSFET
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- 描述
- XR4G03L 是具有极高单元密度的高性能沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR4G03L 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR4G03L
- 商品编号
- C42457181
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@4.5V；29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.08W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V；3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 393pF；233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF；33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF；44pF |
商品概述
XR4G03L是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 XR4G03L符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
-半桥和逆变器中的电源管理-DC-DC转换器-负载开关