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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XR6G03L

N沟道和P沟道快速开关MOSFET

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描述
是高性能沟槽N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求,100%保证单脉冲雪崩能量(EAS),并通过全功能可靠性认证。
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XR6G03L
商品编号
C42457182
商品封装
SOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.04473克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V;30V
连续漏极电流(Id)6A;6A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V,4.1A;18mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd)2.08W;2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V;1.5V
栅极电荷量(Qg)7.2nC@20V;6.8nC@15V
输入电容(Ciss)530pF@15V;370pF@25V
反向传输电容(Crss)40pF@25V;56pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF