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XR10G04S
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
- 描述
- 高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷，符合RoHS标准。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR10G04S
- 商品编号
- C42457175
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107pF |
商品概述
XR10G04S 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术