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XR6G04L
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
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- 描述
- 高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量（EAS），具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR6G04L
- 商品编号
- C42457179
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V；26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V；11nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF；553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF；35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF；58pF |
商品概述
XR6G04L是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET,具有高单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。XR6G04L符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证EAS,且通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证EAS
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理
- 直流-直流转换器
- 负载开关