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XR65R75FRH
650V超结功率MOSFET
- 描述
- 采用超级结技术设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。这款超级结 MOSFET 符合行业对功率因数校正 (PFC)、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC 开关电源 (SMPS) 要求。符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证雪崩耐量 (EAS)，具备全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR65R75FRH
- 商品编号
- C42457157
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 470W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.445nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR65R75FRH采用超结技术设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。 XR65R75FRH符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的沟槽栅极超结技术