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XR60G20F
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证雪崩能量耐量，具备完整功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR60G20F
- 商品编号
- C42457165
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V；13.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 862pF；1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF；49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF；60pF |
商品概述
XR65R75FRH采用超结技术设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。 XR65R75FRH符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的沟槽栅极超结技术