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XR4559A

N沟道和P沟道快速开关MOSFET

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描述
高细胞密度沟槽式N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供优异的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求,100%保证雪崩能量,具备完整功能可靠性认证。
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XR4559A
商品编号
C42457167
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.173181克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20.3nC@10V
输入电容(Ciss)1.148nF
反向传输电容(Crss)49.4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)58.5pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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    (3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个3000个/圆盘

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