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XR65R180T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XR65R180T

650V超结功率MOSFET

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描述
使用超结技术设计,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于行业AC-DC开关电源的PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用。符合RoHS和绿色产品要求,100%保证单脉冲雪崩能量,具备全功能可靠性。
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XR65R180T
商品编号
C42457152
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
耗散功率(Pd)245W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.6V
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)1.459nF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)62pF

商品概述

XR65R180T采用超级结技术进行设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用中AC-DC开关电源(SMPS)的要求。 XR65R180T符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

  • 超低栅极电荷
  • 100%雪崩耐量(EAS)保证
  • 提供绿色环保器件
  • 出色的dv/dt效应抑制能力
  • 先进的沟槽栅超级结技术

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电源管理功能
  • 同步整流应用

数据手册PDF