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XR65R250FTG2
650V超结功率MOSFET
- 描述
- XR65R250FTg2采用超级结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关模式电源（SMPS）要求。XR65R250FTg2符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR65R250FTG2
- 商品编号
- C42457151
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 241mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR10G04S 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术