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XR65R500
650V超结功率MOSFET
- 描述
- 使用超级结技术设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款超级结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR65R500
- 商品编号
- C42457145
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR65R500采用超级结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。XR65R500符合RoHS和绿色产品要求,100%通过EAS测试,具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 超级结技术
- 更低的导通电阻×面积(Ron*A)性能,提高导通效率
- 极低的品质因数(FOM),提升效率
- 符合JEDEC工业级应用标准