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XR65R250G2
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- 使用超结技术设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。满足RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具有完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR65R250G2
- 商品编号
- C42457147
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
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