温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XR65R380
650V超结功率MOSFET
- 描述
- 使用超结技术设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，并通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR65R380
- 商品编号
- C42457146
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 398mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR65R380采用超级结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。 XR65R380符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
-超级结技术-更低的导通电阻与芯片面积乘积(Ron*A),提高导通状态效率-极低的品质因数(FOM),带来更高的效率-符合JEDEC标准的工业级应用要求