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XR650SJ24T
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- 采用超结技术设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求，符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备全功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR650SJ24T
- 商品编号
- C42457143
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.153nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
XR650SJ24T采用超结技术进行设计,可在低栅极电荷情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用中AC-DC开关电源(SMPS)的要求。 XR650SJ24T符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过抗雪崩能力(EAS)测试,具备全面功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%抗雪崩能力(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的沟槽栅极超结技术