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XRS110P06T

P沟道60V快速开关MOSFET

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描述
特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(Ω)的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。电源管理功能
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS110P06T
商品编号
C42457126
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)180W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80.2nC@30V
输入电容(Ciss)5.403nF@30V
反向传输电容(Crss)48pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)941pF

数据手册PDF

优惠活动

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