- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XRS150P06H
P沟道快速开关MOSFET，采用分裂栅沟槽MOSFET技术，散热封装出色，低导通电阻
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS150P06H
- 商品编号
- C42457129
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 183W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.123nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.583nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术
- 具备出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用