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XRS1P10
P沟道100V快速开关MOSFET
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- 描述
- 特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计。应用：电池开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS1P10
- 商品编号
- C42457133
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.35nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 141pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9.53pF |
优惠活动
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起订量：20 个3000个/圆盘
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