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XRS150P06G

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描述
特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计,实现低RDS(ON)。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS150P06G
商品编号
C42457127
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)183W
阈值电压(Vgs(th))2.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)135nC@10V
输入电容(Ciss)9.123nF
反向传输电容(Crss)85.6pF
类型P沟道
输出电容(Coss)1.583nF

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优惠活动

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