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CMB029N06L
N沟道 耐压:60V 电流:160A
- 描述
- MOS管，TO-263，N场，耐压：60V，电流：160A，10V内阻：2.6mΩ，4.5V内阻：3.7mΩ，功率：180W，CISS(Typ)：4850PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB029N06L
- 商品编号
- C42428207
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
029N06L采用先进的SGT技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机控制与驱动-电池管理