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CMB030N12
N沟道 耐压:120V 电流:180A
- 描述
- MOS管，TO-263，N场，耐压：120V，电流：180A，10V内阻：3mΩ，4.5V内阻：0mΩ，功率：300W，CISS(Typ)：9900PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB030N12
- 商品编号
- C42428209
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.693克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 147nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.6nF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。 由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高可用能量。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷（典型值Qg = 13.2 nC）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器