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CMB045N10
N沟道 耐压:100V 电流:160A
- 描述
- MOS管，TO-263，N场，耐压：100V，电流：160A，10V内阻：4.3mΩ，4.5V内阻：5.8mΩ，功率：260W，CISS(Typ)：3700PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB045N10
- 商品编号
- C42428210
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用Cmos先进的SGT工艺制造,该工艺经过优化,可在保持卓越开关性能的同时,将导通电阻降至最低。 100V、典型值3.8mΩ、160A的N沟道MOSFET
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机控制与驱动-电池管理