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CMSL060N15
N沟道 耐压:150V 电流:180A
- 描述
- MOS管，TOLL-8，N场，耐压：150V，电流：180A，10V内阻：6.8mΩ，4.5V内阻：0mΩ，功率：400W，CISS(Typ)：5450PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSL060N15
- 商品编号
- C42428227
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8985克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.4nF |
商品概述
CMSL060N15采用先进的SGT技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-电池保护-不间断电源和能量逆变器