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IPG20N06S2L-65-VB
IPG20N06S2L-65-VB
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,60V；17A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.7V；是一款双通道N型场效应晶体管，采用Trench技术，适合于中等功率应用的散热要求。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPG20N06S2L-65-VB
- 商品编号
- C42428231
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 435pF |
商品概述
RCF20N65是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- PWM优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 系统电源DC/DC