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CMD016N04
N沟道 40V 150A
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- 描述
- MOS管，TO-252，N场，耐压：40V，电流：150A，10V内阻：1.6mΩ，4.5V内阻：1.9mΩ，功率：150W，CISS(Typ)：6900PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD016N04
- 商品编号
- C42428211
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品概述
016N04采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。这些器件适用于直流电机驱动器、DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机驱动器-开关应用