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CMS4812A
双N沟道 30V 6.9A
- 描述
- MOS管，SOP-8，双N，耐压：30V，电流：6.9A，10V内阻：23mΩ，4.5V内阻：42mΩ，功率：2W，CISS(Typ)：550PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4812A
- 商品编号
- C42428218
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
CMS4812A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。这两个MOSFET构成了一个紧凑高效的开关和同步整流器组合，适用于降压转换器。
商品特性
- 低导通电阻
- 采用表面贴装封装的双MOSFET
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 笔记本电脑系统电源