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CMSA18P10B
P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 5x6，P沟道，耐压：-100V，电流：-18A，10V内阻：190mΩ，4.5V内阻：210mΩ，功率：65W，CISS(Typ)：1500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA18P10B
- 商品编号
- C42428222
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
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