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CMSC20DP02
P沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 3.3x3.3，双P，耐压：-20V，电流：-20A，10V内阻：0mΩ，4.5V内阻：18mΩ，功率：20W，CISS(Typ)：2000PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC20DP02
- 商品编号
- C42428223
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V；21mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
CMSC20DP02采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关应用。
商品特性
-双P沟道MOSFET-低导通电阻-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换-负载开关