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CMD160N10
N沟道 100V 55A
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- 描述
- MOS管，TO-252，N场，耐压：100V，电流：55A，10V内阻：16mΩ，4.5V内阻：22mΩ，功率：100W，CISS(Typ)：860PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD160N10
- 商品编号
- C42428212
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
160N10采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 高频开关和同步整流