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CMH65R080SD
N沟道 650V 40A
- 描述
- MOS管，TO-247，N场，耐压：650V，电流：40A，10V内阻：80mΩ，4.5V内阻：0mΩ，功率：470W，CISS(Typ)：3650PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH65R080SD
- 商品编号
- C42428214
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 470W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
CMH65R080SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时还提供极快且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用尤其可靠、高效且轻便。
商品特性
~~- 低导通电阻-超快体二极管-极低的品质因数带来更高效率-符合RoHS标准
应用领域
- 充电器-电源-太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统