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CMB029N10
N沟道 100V 120A
- 描述
- MOS管，TO-263，N场，耐压：100V，电流：120A，10V内阻：2.6mΩ，4.5V内阻：0mΩ，功率：400W，CISS(Typ)：12200PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB029N10
- 商品编号
- C42428208
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6955克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.15nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。 这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关模式电源（SMPS）
- 大电流、高速开关