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ES3N06G-AB3-R
N沟道，100V，5.0A，95mΩ@10V,2.5A，1.65V@250uA；应用领域：PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES3N06G-AB3-R
- 商品编号
- C42412322
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1604克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V；125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 206pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
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