温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HDMP2225L7
耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该款P沟道场效应管（MOSFET）具有2.3A的最大电流（ID）处理能力，以及20V的阻断电压（VDSS），适用于要求精密电流控制的应用场景。其导通电阻（RDSON）为120毫欧，在正负12V的栅源电压（VGS）驱动下能够有效工作。这款MOSFET适合用于消费电子设备中的信号调节与保护电路，例如在电源供应、负载开关或者小型电子装置的逻辑电平转换中发挥重要作用。
- 商品型号
- HDMP2225L7
- 商品编号
- C42401087
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSI1553CDLT1GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 0.75A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 380mΩ
- VDS = -20V，ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 570mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机