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HSTD60NF55LAT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续电流承载能力（ID），并在阻断电压（VDSS）上达到60V，适用于多种电子设备中的电源管理部分。其导通电阻（RDSON）仅为11毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压（VGS）最大可达20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET设计用于在消费电子产品中作为高效能的开关元件或放大器，能够在高频率下工作，提供稳定的电流控制。
- 商品型号
- HSTD60NF55LAT4
- 商品编号
- C42401086
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392929克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |