温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HIPD25N06S4L30ATMA2
N沟道 耐压:60V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的电流处理能力（ID），并支持最高60V的漏源电压（VDSS），适用于多种高电流需求的应用场景。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在导通状态下可显著降低功耗，提高系统效率。栅源电压（VGS）最大可达20V，便于实现有效的开关控制。该MOSFET适用于设计要求紧凑且高效的电源转换电路及其他需要快速开关特性的应用中。
- 商品型号
- HIPD25N06S4L30ATMA2
- 商品编号
- C42401084
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379798克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
HIPD25N06S4L30ATMA2采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 30 A
- RDS(ON)< 26 mΩ @ VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源