HSISH101DNT1GE3
HSISH101DNT1GE3
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具有32A的连续排水电流（ID/A），最大可承受的漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDSON）仅为10毫欧，适用于要求低损耗的应用场景。该器件的最大栅源电压（VGS）为±25V，能够确保可靠的开关性能。凭借这些特性，此MOSFET适合用于高效能的电源管理电路中，如便携式设备的电源转换或一般消费电子产品中的负载开关，有助于提升系统效率并减少热量产生。
- 商品型号
- HSISH101DNT1GE3
- 商品编号
- C42401080
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
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原价
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5+￥1.0914￥1.284
50+￥1.06743￥1.2558
150+￥1.05145￥1.237
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